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장비현황 및 사용신청

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관리자가 확인 후 연락드리겠습니다.
    • 장비명

      Pulsed PLAD

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      PDS series

    • 도입년도

      2005-04-15

    • 용도

      플라즈마를 이용하여 불순물을 실리콘 기판에 주입 나노급 USJ 형성

      ▶ Source : BF3, PH3, GeH4, Ar
      ▶ Substrate size : 6 inch
      ▶ RF power range : 50 ~ 600 W
      ▶ Bias voltage : 30 ~ 4500 V
      ▶ Self bias voltage : 30 V
      ▶ Maximum doping concentration : ~1E22 atom/cm3
      ▶ Frequency : 1 ~ 200 Hz

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ Bias Generator 수리 진행 중
      ▶ 일정 : 미정

    CategoryDIFFUSION
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    • 장비명

      Activation RTP

    • 업체명

      AG

    • 모델명

      AG8108

    • 도입년도

      2006-03-28

    • 용도

      열처리, 상온증착 산화물의 결정화, 산화막 형성, 박막의 고온 조직 분석, 이온 주입 시 dopant 재 분포 방지 및 활성화, 금속 전극의 ohmic contact-Silicide 형성 등에 활용 가능

      ▶ Application : 박막 증착 및 열처리
      ▶ Substrate : 4~6” wafer
      ▶ Temp rate : 750~1100℃
      ▶ Process : RTN, RTO, RTA

    • 장비상태

      가동

    CategoryDIFFUSION
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    • 장비명

      6” 열확산로 2 (6” Furnace 2)

    • 업체명

      SELTRON

    • 모델명

      SHF-150

    • 도입년도

      2003-07-28

    • 용도

      농도차에 따라 액체나 기체가 고농도에서 저농도 쪽으로 이동하는 확산방식을 이용하여 확산로에서 wafer에 높은 온도를 가해 불순물 B(붕소)나 P(인) 등을 주입 시킬때 사용
      N+ / P+ Annealing

      ▶ Horizontal type 3Chamber system
      ▶ Wafer auto loading system
      ▶ 공정명
      - 1Tube (Blank)
      - 2Tube (N+ anneal)
      - 3Tube (P+ anneal)
      ▶ 공통사항
      - Temp rate : 800~1,100℃
      - Flatzone : 300mm±1℃
      - Temp ramping up : 3~8℃/min
      - Heater material : Kanthal A1
      - Temp control : PID control
      - Gas control : MFC control
      - Gas : PN2, O2, CDA, Bubbler

    • 장비상태

      가동

    CategoryDIFFUSION
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    • 장비명

      6” 열확산로 1 (6” Furnace 1)

    • 업체명

      SELTRON

    • 모델명

      SHF-150

    • 도입년도

      2003-07-28

    • 용도

      초기 실리콘 기판에 대해서 고온의 산소 분위기에서 산화막 형성
      Dry Ox / Wet Ox / Metal alloy

      ▶ Wafer size : 4~6” Si wafer 전용
      ▶ Horizontal type 3Chamber system
      ▶ Wafer auto loading system
      ▶ H2/O2 Torch system (Wet oxidation)
      ▶ 공정명
      - 1Tube (Dry oxidation)
      - 2Tube (Wet oxidation)
      - 3Tube (Metal alloy)
      ▶ 공통사항
      - Temp rate : 800~1,100℃
      - Temp ramping up : 3~8℃/min
      - Flatzone : 300mm±1℃
      - Heater material : Kanthal A1
      - Temp control : PID control
      - Gas control : MFC control
      - Gas : PN2, O2, CDA (2/3Tube 각 H2추가)

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ Dry Oxidation Tube는 운영 중
      ▶ Wet Oxidation Tube는 온도 컨트롤러 이상으로 인해 현재 장비 조치 진행 중(일정미정)
      ▶ Metal Alloy Tube는 수리 불가로 인해 운영 안됨

    CategoryDIFFUSION
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