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장비현황 및 사용신청

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    • 장비명

      마스크 노광기 (Midas aligner)

    • 업체명

      Midas

    • 모델명

      MDA-8000

    • 도입년도

      2006-01-11

    • 용도

      Photolithorgraphy에 사용되는 장비로, 반도체 소자 혹은 집적회로의 구조를 크롬이 칠해진 유리판 위에 형성한 마스크의 패턴을 Wafer표면의 PR (Photo resist) 에 전사시키는 장치

      ▶ Wafer size : 4, 6 inch
      ▶ 정렬방식(alignmentmode) : 수동
      ▶ 정렬의 정확도(alignment accuracy ) :윗면–1um, 아랫면-1um
      ▶ 인화 방식(print mode) : proximity & contact, soft contact, hard contact, Low Vacuum contact, vacuum contact
      ▶ 사용파장 : 365nm(필터 사용 : i-line)
      ▶ 고해상도 CCD카메라 (Nikon)
      ▶ 현미경배율 : 65X~1000X

    • 장비상태

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    • 장비명

      Mask Aligner

    • 업체명

      SussMicroTec

    • 모델명

      MA6/BA6

    • 도입년도

      1998-04-04

    • 용도

      Photolithorgraphy에 사용되는 장비로, 반도체 소자 혹은 집적회로의 구조를 크롬이 칠해진 유리판 위에 형성한 마스크의 패턴을 Wafer표면의 PR (Photo resist) 에 전사시키는 장치

      ▶ 정렬방식(alignmentmode) : 수동
      ▶ 정렬의 정확도(alignment accuracy):윗면 –0.5um, 아랫면 - 1um
      ▶ 인화 방식(print mode): proximity & contact, soft contact, hard contact, Low Vacuum contact, vacuum contact
      ▶ 사용파장:365nm(필터 사용 : l-line)
      ▶ 고해상도 CCD카메라 (Nikon)
      ▶ 현미경배율 : 5X
      ▶ 해상도 :1nm(인화방식으로 vacuum contact 사용시)
      ▶ 사용가능마스크: 4-6 inch 마스크

    • 장비상태

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    • 장비명

      PR Track

    • 업체명

      OFT

    • 모델명

      특주

    • 도입년도

      2005-06-13

    • 용도

      Photoresist의 두께를 Spin Coating Unit으로 모터의 회전에 따라 수 마이크로 두께 형성 후 마스크 패턴에 의해 노광된 부분의 PR(양성, 음성)을 Developer Unit에서 선택적으로 제거하여 wafer위의 PR층을 영상화함.

      ▶ Wafer Size : 4" ~ 6"
      ▶ PR Coating : Spin speed 10rpm ~ 6,000rpm ± 1.5rpm(Max. acceleration 30,000rpm/sec)
      ▶ Pre baking (Soft Baking)
      ▶ Develop - Rinsing
      ▶ Post baking (Hard baking)
      ▶ Chemical : thinner, AZ1512, DPR i-5500, AZ 300, DPD 200
      ▶ composition : Spin Coater / Spin Developer

    • 장비상태

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    • 장비명

      i-line stepper

    • 업체명

      HITACHI

    • 모델명

      LD-5011iA

    • 도입년도

      2007-10-12

    • 용도

      정렬 노광기(Aligner)의 일종으로 wafer 1매에 몇 개의 Chip 단위로 전후좌우로 이동하면서 단위 Chip마다 정렬 및 노광을 실시하는 장비

      ▶ 6 inch wafer 전용
      ▶ Wavelength = 365nm only
      ▶ Magnification : 1.5배 축소노광
      ▶ Wafer Thickness : 500nm 700um
      ▶ 분해능 : 1.3um Pitch(Line 0.5um+ Space 0.8um)

    • 장비상태

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