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장비현황 및 사용신청

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    • 장비명

      Metal Sputter

    • 업체명

      ULVAC

    • 모델명

      MPS-600-C3

    • 도입년도

      2004-08-30

    • 용도

      불활성가스(Ar gas) 분위기에서 플라즈마를 유도한 후 이때 발생된 이온이 타겟에 충돌하면서 타겟물질을 떼어내어 기판에 증착

      ▶ Taget: Ti(TiN)3, Al,Hf
      ▶ Wafer 크기 : 4", 6" (교체 시간 : 1hr)
      ▶ Native Oxide : RF Pre-Cleaning
      ▶ Wafer Transfer : By Wafer Linear Transfer System
      ▶ Thoughput : 6 Wafer /hr(6", Al 5000 A기준)
      ▶ Chamber Base Pressure Pump : 5×10 Torr, Cryo Pump
      ▶ 기판온도 : 300도

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      Evaporator(ERC)

    • 업체명

      SORONA

    • 모델명

      SRN-200

    • 도입년도

      2011-10-11

    • 용도

      Metal Deposition
      진공 중에서 증착원을 열적으로 증발, 승화시켜 기판 상에 증착입자를 부착, 퇴적시켜 박막을 형성하는 장비

      ▶ E-beam/Thermal process system
      ▶ 공정명 : Metal deposition
      ▶ 공통사항 :
      1. Target : 전자빔 Ti, Ta, Al, Ni, Au, Si / 열저항 Al, Ti
      2. 가속전압 : 9.9KeV(max)
      3. Crucible : 15cc, 6EA
      4. Vacuum
      - Ultimate Pressure(Cryo pump) : E-9Torr
      - Base Pressure(Rotary pump) : 50mTorr
      - Leak rate : 1.0*10E-7 std cc/sec
      5. Dome Rotation motor : 0 ~ 60rpm
      6. Lamp Heater : 300℃(max)
      7. Product capacity : 5 wafer process

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      OLED제조공정장비

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      OLED System

    • 도입년도

      2005-03-18

    • 용도

      차세대 Display OLED 관련 형광물질 증착장비

      ▶ Process
      Organic chamber : organic EL Deposition
      Metal chamber : Metal Deposition
      Wafer size : 100mm * 100mm
      Throuthput : 1substrate/1run
      Control : Manual operaton
      Thickness controller : crystal sensor (Organic 6set. Metal 2set)
      ▶ Chamber ultimate pressure
      Loadlock chamber : ≤ 5 * 10-3 Torr
      Organic chamber : ≤ 7 * 10-7 Torr
      Metal chamber : ≤ 7 * 10-7 Torr
      ▶ Power
      Organic chamber : 200W
      Metal chamber : 2kW
      ▶ Source
      Organic chamber : Effusion cell #1 : 8 pocket : 4CC, 6CC, 10CC
      Metal chamber : Thermal source #2 : Tungsten baot * 2set

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      Dielectic Sputter

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      SPS-4100

    • 도입년도

      2004-04-23

    • 용도

      일반적인 RF Sputtering뿐만 아니라 금속타겟을 이용하여 Sputtering 할때 불활성 가스와 동시에 반응성이 있는 가스를 흘려줌으로써 화합물 박막을 형성기키는 반응성 Sputterfing이 가능한 장비

      ▶ 증착물질 : TiO2, Ge oxide, Ta2O5(6inch), RuO2(4inch)
      ▶ Cathode : R.F Magnetron
      ▶ Wafer 크기 : Piece~6 inch
      ▶ Product capacity : Single Wafer Process
      ▶ Sputter Gun Size : 4 inch(1개)+6 inch(3개)
      ▶ Gun의 개수 : 4개
      ▶ 기판온도 : 400℃
      ▶ Substrate Rotation & Up/Down
      ▶ Wafer Load/Unload : Automatic Loading/Unloading by Loadlock Chamber
      ▶ 최대 진공도 : 7*10-7 Torr
      ▶ PC제어에 의한 전자동

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      Evaporator

    • 업체명

      Comtecs

    • 모델명

      특주

    • 도입년도

      2004-01-12

    • 용도

      진공중에서 증착원을 열적으로 증발 ․ 승화시켜 기판상에 증착입자를 부착 ․ 퇴적시켜 박막을 형성하는 장비

      ▶ 전자빔(e-beam)과 열저항 방식을 동시에 사용가능
      ▶ 증착물질 : 열저항 방식(2개의 boat로 구성) - Al, Ti / 전자빔 방식(4개의 crucible로 구성) - Ni, Au, Pt, Ta
      ▶ 가속전압 : 6KeV(max)
      ▶ Crucible 크기 : 7cc
      ▶ 타물질 증착을 원할 시 개인적으로 crucible준비
      ▶ 기판의 크기 : Piece~6 inch
      ▶ 최대압력 : 7*10-7 Torr▶ Product capacity : Single Wafer Process
      ▶ Thickness Uniformity : ±3%
      ▶ Loadlock chamber 채용

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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