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    • 장비명

      Plasma Doping System

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      PDS series

    • 도입년도

      2005-04-15

    • 용도

      일반적인 Ion Implantation 장비와는 달리 플라즈마(ionized Dopant Gas)를 이용하여 불순물을 실리콘 기판으로 주입시키는 방식으로 Mass Analyzer가 없으며, 향후 나노급 소자 제작에 필요한 Ultra Shallow Junction(USJ) 형성을 위한 장비

      ▶ Chamber #1 : P-type Doping(Dopant : B)
      ▶ Chamber #2 : N-type Doping(Dopant : As, P)
      ▶ Dose : 5*E10~2*E16 cm-2
      ▶ Energy range : 500eV~10keV
      ▶ Wafer Size : 6inch wafer
      ▶ Product capacity : Single wafer process
      ▶ Process Gases : BF3, PH3, AsH3, Ar, He, N2

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ 수리 일정 : 미정
      ▶ 고장 내용 :
      1. TM Chamber Dry Pump Overhaul
      2. Bias Generator 점검

    CategoryIMPLANTER
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