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장비현황 및 사용신청

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    • 장비명

      Cluster PECVD

    • 업체명

      SUNIC

    • 모델명

      501

    • 도입년도

      2007-02-27

    • 용도

      플라즈마를 이용한 박막증착

      ▶ 4~6” Wafer, 5mm*5mm Glass
      ▶ a-Si, N+ a-Si Process
      -. N+ a-Si Resistivity : ≤ 500 Ω•cm
      -. Film Thickness Uniformity : a-Si / N+ a-Si ≤±5.0 %
      -. Stress : a-Si ≤±500 Mpa
      -. Substrate : 150×150(0.63t) glass
      ▶ SiO2, SiNx Process
      -. Refractive Index : SiO2 1.445-1.480 / SiNx 1.75-1.95
      -. Film Thickness Uniformity : SiO2/SiNx ≤±5.0 %
      -. Depo. Rate : SiO2/SiNx≥500 Å/min
      -. Stress : ≤±500 MPa

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ Loadlock Controller 고장으로 인해 수리업체 선정 중
      ▶ 일정 : 미정

    CategoryCVD
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    • 장비명

      MOCVD(S)

    • 업체명

      SYSNEX

    • 모델명

      Marvel260NTK

    • 도입년도

      2005-12-14

    • 용도

      화합물반도체 내 GaN AlGaN 등 박막증착장비

      ▶ Application : GaN, AlGaN Growth
      ▶ 2” wafer 전용
      ▶ Heater : RF induction heating (Max. power 30KW)
      ▶ Susceptor : SiC coated graphite
      ▶ Reactor : Vertical laminar flow stainless steel / water cooled jacket and base
      ▶ Temp : Max 1200℃
      ▶ Rotation : speed up to 200 rpm
      ▶ Pressure : 20 ~ 760 torr
      ▶ Heat / cooling rate : 2mm(from 450 to 1000 ℃) / 3mm(from 1000 to 450 ℃)
      ▶ MO temp. control : Thermostat / accuracy 0.05℃, range -20℃ to +60℃

    • 장비상태

      가동

    CategoryCVD
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