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장비현황 및 사용신청

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    • 장비명

      Evaporator(ERC)

    • 업체명

      SORONA

    • 모델명

      SRN-200

    • 도입년도

      2011-10-11

    • 용도

      Metal Deposition
      진공 중에서 증착원을 열적으로 증발, 승화시켜 기판 상에 증착입자를 부착, 퇴적시켜 박막을 형성하는 장비

      ▶ E-beam/Thermal process system
      ▶ 공정명 : Metal deposition
      ▶ 공통사항 :
      1. Target : 전자빔 Ti, Ta, Al, Ni, Au, Si / 열저항 Al, Ti
      2. 가속전압 : 9.9KeV(max)
      3. Crucible : 15cc, 6EA
      4. Vacuum
      - Ultimate Pressure(Cryo pump) : E-9Torr
      - Base Pressure(Rotary pump) : 50mTorr
      - Leak rate : 1.0*10E-7 std cc/sec
      5. Dome Rotation motor : 0 ~ 60rpm
      6. Lamp Heater : 300℃(max)
      7. Product capacity : 5 wafer process

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      ICP(Polymer)

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      ICP-RIE

    • 도입년도

      2004-04-09

    • 용도

      Display 소자 및 광학소자 제작시 사용되는 PR, PMMA 등의 Polymer를 식각하는 장비

      ▶ Process : Polymer dry etcher
      ▶ Substrate size : 6 inch
      ▶ Through method : Automatic control by PC / Chamber ultimate pressure
      ▶ Loadlock chamber : ≤ 5 * 10-3 Torr
      ▶ process chamber : ≤ 5 * 10-6 Torr
      ▶ ICP source power : 2kW
      ▶ Chuck bias power : 555W
      ▶ Chuck cooling method : Chiller + He cooling
      ▶ Etch material : PMMA, Poly streme. PR, etc.

    • 장비상태

      가동

    CategoryETCH
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    • 장비명

      OLED제조공정장비

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      OLED System

    • 도입년도

      2005-03-18

    • 용도

      차세대 Display OLED 관련 형광물질 증착장비

      ▶ Process
      Organic chamber : organic EL Deposition
      Metal chamber : Metal Deposition
      Wafer size : 100mm * 100mm
      Throuthput : 1substrate/1run
      Control : Manual operaton
      Thickness controller : crystal sensor (Organic 6set. Metal 2set)
      ▶ Chamber ultimate pressure
      Loadlock chamber : ≤ 5 * 10-3 Torr
      Organic chamber : ≤ 7 * 10-7 Torr
      Metal chamber : ≤ 7 * 10-7 Torr
      ▶ Power
      Organic chamber : 200W
      Metal chamber : 2kW
      ▶ Source
      Organic chamber : Effusion cell #1 : 8 pocket : 4CC, 6CC, 10CC
      Metal chamber : Thermal source #2 : Tungsten baot * 2set

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      Dielectic Sputter

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      SPS-4100

    • 도입년도

      2004-04-23

    • 용도

      일반적인 RF Sputtering뿐만 아니라 금속타겟을 이용하여 Sputtering 할때 불활성 가스와 동시에 반응성이 있는 가스를 흘려줌으로써 화합물 박막을 형성기키는 반응성 Sputterfing이 가능한 장비

      ▶ 증착물질 : TiO2, Ge oxide, Ta2O5(6inch), RuO2(4inch)
      ▶ Cathode : R.F Magnetron
      ▶ Wafer 크기 : Piece~6 inch
      ▶ Product capacity : Single Wafer Process
      ▶ Sputter Gun Size : 4 inch(1개)+6 inch(3개)
      ▶ Gun의 개수 : 4개
      ▶ 기판온도 : 400℃
      ▶ Substrate Rotation & Up/Down
      ▶ Wafer Load/Unload : Automatic Loading/Unloading by Loadlock Chamber
      ▶ 최대 진공도 : 7*10-7 Torr
      ▶ PC제어에 의한 전자동

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      Evaporator

    • 업체명

      Comtecs

    • 모델명

      특주

    • 도입년도

      2004-01-12

    • 용도

      진공중에서 증착원을 열적으로 증발 ․ 승화시켜 기판상에 증착입자를 부착 ․ 퇴적시켜 박막을 형성하는 장비

      ▶ 전자빔(e-beam)과 열저항 방식을 동시에 사용가능
      ▶ 증착물질 : 열저항 방식(2개의 boat로 구성) - Al, Ti / 전자빔 방식(4개의 crucible로 구성) - Ni, Au, Pt, Ta
      ▶ 가속전압 : 6KeV(max)
      ▶ Crucible 크기 : 7cc
      ▶ 타물질 증착을 원할 시 개인적으로 crucible준비
      ▶ 기판의 크기 : Piece~6 inch
      ▶ 최대압력 : 7*10-7 Torr▶ Product capacity : Single Wafer Process
      ▶ Thickness Uniformity : ±3%
      ▶ Loadlock chamber 채용

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
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    • 장비명

      Plasma Doping System

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      PDS series

    • 도입년도

      2005-04-15

    • 용도

      일반적인 Ion Implantation 장비와는 달리 플라즈마(ionized Dopant Gas)를 이용하여 불순물을 실리콘 기판으로 주입시키는 방식으로 Mass Analyzer가 없으며, 향후 나노급 소자 제작에 필요한 Ultra Shallow Junction(USJ) 형성을 위한 장비

      ▶ Chamber #1 : P-type Doping(Dopant : B)
      ▶ Chamber #2 : N-type Doping(Dopant : As, P)
      ▶ Dose : 5*E10~2*E16 cm-2
      ▶ Energy range : 500eV~10keV
      ▶ Wafer Size : 6inch wafer
      ▶ Product capacity : Single wafer process
      ▶ Process Gases : BF3, PH3, AsH3, Ar, He, N2

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ 수리 일정 : 미정
      ▶ 고장 내용 :
      1. TM Chamber Dry Pump Overhaul
      2. Bias Generator 점검

    CategoryIMPLANTER
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    • 장비명

      마스크 노광기 (Midas aligner)

    • 업체명

      Midas

    • 모델명

      MDA-8000

    • 도입년도

      2006-01-11

    • 용도

      Photolithorgraphy에 사용되는 장비로, 반도체 소자 혹은 집적회로의 구조를 크롬이 칠해진 유리판 위에 형성한 마스크의 패턴을 Wafer표면의 PR (Photo resist) 에 전사시키는 장치

      ▶ Wafer size : 4, 6 inch
      ▶ 정렬방식(alignmentmode) : 수동
      ▶ 정렬의 정확도(alignment accuracy ) :윗면–1um, 아랫면-1um
      ▶ 인화 방식(print mode) : proximity & contact, soft contact, hard contact, Low Vacuum contact, vacuum contact
      ▶ 사용파장 : 365nm(필터 사용 : i-line)
      ▶ 고해상도 CCD카메라 (Nikon)
      ▶ 현미경배율 : 65X~1000X

    • 장비상태

      가동

    CategoryPHOTO
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    • 장비명

      6” 열확산로 2 (6” Furnace 2)

    • 업체명

      SELTRON

    • 모델명

      SHF-150

    • 도입년도

      2003-07-28

    • 용도

      농도차에 따라 액체나 기체가 고농도에서 저농도 쪽으로 이동하는 확산방식을 이용하여 확산로에서 wafer에 높은 온도를 가해 불순물 B(붕소)나 P(인) 등을 주입 시킬때 사용
      N+ / P+ Annealing

      ▶ Horizontal type 3Chamber system
      ▶ Wafer auto loading system
      ▶ 공정명
      - 1Tube (Blank)
      - 2Tube (N+ anneal)
      - 3Tube (P+ anneal)
      ▶ 공통사항
      - Temp rate : 800~1,100℃
      - Flatzone : 300mm±1℃
      - Temp ramping up : 3~8℃/min
      - Heater material : Kanthal A1
      - Temp control : PID control
      - Gas control : MFC control
      - Gas : PN2, O2, CDA, Bubbler

    • 장비상태

      가동

    CategoryDIFFUSION
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    • 장비명

      6” 열확산로 1 (6” Furnace 1)

    • 업체명

      SELTRON

    • 모델명

      SHF-150

    • 도입년도

      2003-07-28

    • 용도

      초기 실리콘 기판에 대해서 고온의 산소 분위기에서 산화막 형성
      Dry Ox / Wet Ox / Metal alloy

      ▶ Wafer size : 4~6” Si wafer 전용
      ▶ Horizontal type 3Chamber system
      ▶ Wafer auto loading system
      ▶ H2/O2 Torch system (Wet oxidation)
      ▶ 공정명
      - 1Tube (Dry oxidation)
      - 2Tube (Wet oxidation)
      - 3Tube (Metal alloy)
      ▶ 공통사항
      - Temp rate : 800~1,100℃
      - Temp ramping up : 3~8℃/min
      - Flatzone : 300mm±1℃
      - Heater material : Kanthal A1
      - Temp control : PID control
      - Gas control : MFC control
      - Gas : PN2, O2, CDA (2/3Tube 각 H2추가)

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ Dry Oxidation Tube는 운영 중
      ▶ Wet Oxidation Tube는 온도 컨트롤러 이상으로 인해 현재 장비 조치 진행 중(일정미정)
      ▶ Metal Alloy Tube는 수리 불가로 인해 운영 안됨

    CategoryDIFFUSION
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    • 장비명

      Mask Aligner

    • 업체명

      SussMicroTec

    • 모델명

      MA6/BA6

    • 도입년도

      1998-04-04

    • 용도

      Photolithorgraphy에 사용되는 장비로, 반도체 소자 혹은 집적회로의 구조를 크롬이 칠해진 유리판 위에 형성한 마스크의 패턴을 Wafer표면의 PR (Photo resist) 에 전사시키는 장치

      ▶ 정렬방식(alignmentmode) : 수동
      ▶ 정렬의 정확도(alignment accuracy):윗면 –0.5um, 아랫면 - 1um
      ▶ 인화 방식(print mode): proximity & contact, soft contact, hard contact, Low Vacuum contact, vacuum contact
      ▶ 사용파장:365nm(필터 사용 : l-line)
      ▶ 고해상도 CCD카메라 (Nikon)
      ▶ 현미경배율 : 5X
      ▶ 해상도 :1nm(인화방식으로 vacuum contact 사용시)
      ▶ 사용가능마스크: 4-6 inch 마스크

    • 장비상태

      가동

    CategoryPHOTO
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