메뉴 건너뛰기

사업소개

장비현황 및 사용신청

HOME 사업소개 장비현황 및 사용신청

장비이용을 하시려는 분은
장비이용신청페이지에서 신청 해 주십시오.
관리자가 확인 후 연락드리겠습니다.
    • 장비명

      Alpha-step

    • 업체명

      KLA TENCOR instruments

    • 모델명

      a-step 250

    • 도입년도

      2004-07-01

    • 용도

      다양한 막의 두께 측정

      ▶ General Performance /Scan : 10mm or more
      -. Scan Speed 2um/sec to 200 um /sec or more
      -. Scan method :Bi -directional moving stylus
      -. Sampling rate : 50,100, 200, 1000Hz or more
      -. Vertical range : 262 um or more
      -. Resolution : 1A or more / Stylus Force : 1 ~ 15 mg or more
      -. isolation hood, Build in isolation
      -. Monitor : STD/Sample viewing : True
      ▶ Sample handing /151mm* 80mm stage moving or more
      -. Theta : 360도 / 21mm, maximum sample thickness or more

    • 장비상태

      가동

    CategoryMEASURE
    Read More
    • 장비명

      Hall Measurement

    • 업체명

      BIO-RAD

    • 모델명

      HL5500PC-M

    • 도입년도

      1994-10-01

    • 용도

      반도체 재료의 전기 전도도, 이동도, 캐리어 농도 측정 Si을 포한한 화합물 반도체의 Type(N형, P형)등을 찬정

      ▶ Magnet source range : 10nA - 20 mA
      ▶ Input voltage range : +/-6v
      ▶ Temperature range : 90k - 500k
      ▶ Cooling Type : LN2 Cryo

    • 장비상태

      가동

    CategoryMEASURE
    Read More
    • 장비명

      4-Point probe

    • 업체명

      창민테크

    • 모델명

      CMT-SR1060N

    • 도입년도

      2000-12-01

    • 용도

      반도체 박막 및 도체 박막의 비저항 측정 *웨이퍼 비저항 측정

      ▶ 면저항 측정사
      -. 측정방법 : 4 ~ Point probe의 접촉
      -. 측정범위 : 1m cm/ㅁ ~ 2m /ㅁ
      -. 측정포인트 : 중앙부 1Point
      ▶ 비저항 측정시
      -. 측정방법 : 4-point probe 의 접촉(두께 입력)
      -. 측정범위 : 10~200(VLSI 표준웨이퍼)
      -. 측정포인트 : 중앙부 1Point
      ▶ Four Point Probe(JANDDEL ENG.)
      -. Pin간 간격 : 20 ~ 50mis/pin 부하 : 10 ~ 250g/ pin
      -. pin 간 간격 : 12.5 ~ 500um
      ▶ 시료
      -. 원형 : 최대 8Inch /사각형 : 최대 140 *140mm2

    • 장비상태

      가동

    CategoryMEASURE
    Read More
    • 장비명

      Wet Station

    • 업체명

      (주)알오닉스

    • 모델명

      RN-A1

    • 도입년도

      2005-04-18

    • 용도

      반도체 제조공정 중 Wet Etching에 적용하는 설비로서 Contamination의 제거 목적으로 사용되며 공정 Flow는 산화막 제거 공정, 수세, 공정 금속 불순물제거, 수세공정 등의 방식으로 진행된다

      ▶ Bath 종류 : BHF, DHF, SPM, HPO, SC-2 QDR-1, QDR-2
      ▶ 대응 Size : 4 ~ 6 inch wafer 1 casstte
      ▶ Operation method : Touch Panel Control

    • 장비상태

      가동

    CategoryETCH
    Read More
    • 장비명

      Metal Sputter

    • 업체명

      ULVAC

    • 모델명

      MPS-600-C3

    • 도입년도

      2004-08-30

    • 용도

      불활성가스(Ar gas) 분위기에서 플라즈마를 유도한 후 이때 발생된 이온이 타겟에 충돌하면서 타겟물질을 떼어내어 기판에 증착

      ▶ Taget: Ti(TiN)3, Al,Hf
      ▶ Wafer 크기 : 4", 6" (교체 시간 : 1hr)
      ▶ Native Oxide : RF Pre-Cleaning
      ▶ Wafer Transfer : By Wafer Linear Transfer System
      ▶ Thoughput : 6 Wafer /hr(6", Al 5000 A기준)
      ▶ Chamber Base Pressure Pump : 5×10 Torr, Cryo Pump
      ▶ 기판온도 : 300도

    • 장비상태

      가동

    CategoryMETAL
    Read More
    • 장비명

      Pulsed PLAD

    • 업체명

      ULTECH

    • 모델명

      PDS series

    • 도입년도

      2005-04-15

    • 용도

      플라즈마를 이용하여 불순물을 실리콘 기판에 주입 나노급 USJ 형성

      ▶ Source : BF3, PH3, GeH4, Ar
      ▶ Substrate size : 6 inch
      ▶ RF power range : 50 ~ 600 W
      ▶ Bias voltage : 30 ~ 4500 V
      ▶ Self bias voltage : 30 V
      ▶ Maximum doping concentration : ~1E22 atom/cm3
      ▶ Frequency : 1 ~ 200 Hz

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ Bias Generator 수리 진행 중
      ▶ 일정 : 미정

    CategoryDIFFUSION
    Read More
    • 장비명

      Activation RTP

    • 업체명

      AG

    • 모델명

      AG8108

    • 도입년도

      2006-03-28

    • 용도

      열처리, 상온증착 산화물의 결정화, 산화막 형성, 박막의 고온 조직 분석, 이온 주입 시 dopant 재 분포 방지 및 활성화, 금속 전극의 ohmic contact-Silicide 형성 등에 활용 가능

      ▶ Application : 박막 증착 및 열처리
      ▶ Substrate : 4~6” wafer
      ▶ Temp rate : 750~1100℃
      ▶ Process : RTN, RTO, RTA

    • 장비상태

      가동

    CategoryDIFFUSION
    Read More
    • 장비명

      Cluster PECVD

    • 업체명

      SUNIC

    • 모델명

      501

    • 도입년도

      2007-02-27

    • 용도

      플라즈마를 이용한 박막증착

      ▶ 4~6” Wafer, 5mm*5mm Glass
      ▶ a-Si, N+ a-Si Process
      -. N+ a-Si Resistivity : ≤ 500 Ω•cm
      -. Film Thickness Uniformity : a-Si / N+ a-Si ≤±5.0 %
      -. Stress : a-Si ≤±500 Mpa
      -. Substrate : 150×150(0.63t) glass
      ▶ SiO2, SiNx Process
      -. Refractive Index : SiO2 1.445-1.480 / SiNx 1.75-1.95
      -. Film Thickness Uniformity : SiO2/SiNx ≤±5.0 %
      -. Depo. Rate : SiO2/SiNx≥500 Å/min
      -. Stress : ≤±500 MPa

    • 장비상태

      고장

    • 수리일정

      ▶ Loadlock Controller 고장으로 인해 수리업체 선정 중
      ▶ 일정 : 미정

    CategoryCVD
    Read More
    • 장비명

      MOCVD(S)

    • 업체명

      SYSNEX

    • 모델명

      Marvel260NTK

    • 도입년도

      2005-12-14

    • 용도

      화합물반도체 내 GaN AlGaN 등 박막증착장비

      ▶ Application : GaN, AlGaN Growth
      ▶ 2” wafer 전용
      ▶ Heater : RF induction heating (Max. power 30KW)
      ▶ Susceptor : SiC coated graphite
      ▶ Reactor : Vertical laminar flow stainless steel / water cooled jacket and base
      ▶ Temp : Max 1200℃
      ▶ Rotation : speed up to 200 rpm
      ▶ Pressure : 20 ~ 760 torr
      ▶ Heat / cooling rate : 2mm(from 450 to 1000 ℃) / 3mm(from 1000 to 450 ℃)
      ▶ MO temp. control : Thermostat / accuracy 0.05℃, range -20℃ to +60℃

    • 장비상태

      가동

    CategoryCVD
    Read More
    • 장비명

      Dicing Saw

    • 업체명

      Aaron

    • 모델명

      AR06DM

    • 도입년도

      2006-08-31

    • 용도

      Wafer dicing

      ▶ 2”~6” Si wafer 전용
      ▶ Equipment Specifications
      1. X-axis - Workpiece width setting range : 0.01 mm ~ 160.00 mm
      -. Resolution : 0.01 mm or less
      -. Cutting range : 160 mm or more
      -. Cut speed : 0.05~300 mm/s or more
      -. Repeating accuracy : 0.001mm
      2. Y-axis Maximum stroke : 170 mm or more
      -. Scale resolution : 0.0002 mm or less
      -. Index setting range : 0.0001 to 160.00 mm or more
      3. Z-axis - Maximum cutting stroke : 50 mm or more
      -. Moving resolution : 0.0002 mm or less
      -. Indexing repeat accuracy : 0.0001 mm / 50 mm
      4. θ-axis - Rotating range : 380°or more
      -. Repeating accuracy : 5 arc-sec
      -. General accuracy : 20 arc-sec
      -. DD servo motor
      -. Control method : Closed loop system

    • 장비상태

      가동

    CategoryPACKAGING
    Read More
Board Pagination Prev 1 2 3 Next
/ 3
우)41566 대구광역시 북구 대학로 80 (산격동,경북대학교) 경북대학교 IT대학 3호관 203호 반도체융합기술연구원

Copyright(c) Kyungpook National University. All rights reserved.

위로