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장비명 MOCVD(S)
업체명 SYSNEX
모델명 Marvel260NTK
도입년도 2005-12-14
용도 화합물반도체 내 GaN AlGaN 등 박막증착장비

▶ Application : GaN, AlGaN Growth
▶ 2” wafer 전용
▶ Heater : RF induction heating (Max. power 30KW)
▶ Susceptor : SiC coated graphite
▶ Reactor : Vertical laminar flow stainless steel / water cooled jacket and base
▶ Temp : Max 1200℃
▶ Rotation : speed up to 200 rpm
▶ Pressure : 20 ~ 760 torr
▶ Heat / cooling rate : 2mm(from 450 to 1000 ℃) / 3mm(from 1000 to 450 ℃)
▶ MO temp. control : Thermostat / accuracy 0.05℃, range -20℃ to +60℃
장비상태 가동

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