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장비명 Activation RTP
업체명 AG
모델명 AG8108
도입년도 2006-03-28
용도 열처리, 상온증착 산화물의 결정화, 산화막 형성, 박막의 고온 조직 분석, 이온 주입 시 dopant 재 분포 방지 및 활성화, 금속 전극의 ohmic contact-Silicide 형성 등에 활용 가능

▶ Application : 박막 증착 및 열처리
▶ Substrate : 4~6” wafer
▶ Temp rate : 750~1100℃
▶ Process : RTN, RTO, RTA
장비상태 가동

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