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장비명 Pulsed PLAD
업체명 ULTECH
모델명 PDS series
도입년도 2005-04-15
용도 플라즈마를 이용하여 불순물을 실리콘 기판에 주입 나노급 USJ 형성

▶ Source : BF3, PH3, GeH4, Ar
▶ Substrate size : 6 inch
▶ RF power range : 50 ~ 600 W
▶ Bias voltage : 30 ~ 4500 V
▶ Self bias voltage : 30 V
▶ Maximum doping concentration : ~1E22 atom/cm3
▶ Frequency : 1 ~ 200 Hz
장비상태 고장
수리일정 ▶ Bias Generator 수리 진행 중
▶ 일정 : 미정

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