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장비명 Metal Sputter
업체명 ULVAC
모델명 MPS-600-C3
도입년도 2004-08-30
용도 불활성가스(Ar gas) 분위기에서 플라즈마를 유도한 후 이때 발생된 이온이 타겟에 충돌하면서 타겟물질을 떼어내어 기판에 증착

▶ Taget: Ti(TiN)3, Al,Hf
▶ Wafer 크기 : 4", 6" (교체 시간 : 1hr)
▶ Native Oxide : RF Pre-Cleaning
▶ Wafer Transfer : By Wafer Linear Transfer System
▶ Thoughput : 6 Wafer /hr(6", Al 5000 A기준)
▶ Chamber Base Pressure Pump : 5×10 Torr, Cryo Pump
▶ 기판온도 : 300도
장비상태 가동

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