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장비명 Plasma Doping System
업체명 ULTECH
모델명 PDS series
도입년도 2005-04-15
용도 일반적인 Ion Implantation 장비와는 달리 플라즈마(ionized Dopant Gas)를 이용하여 불순물을 실리콘 기판으로 주입시키는 방식으로 Mass Analyzer가 없으며, 향후 나노급 소자 제작에 필요한 Ultra Shallow Junction(USJ) 형성을 위한 장비

▶ Chamber #1 : P-type Doping(Dopant : B)
▶ Chamber #2 : N-type Doping(Dopant : As, P)
▶ Dose : 5*E10~2*E16 cm-2
▶ Energy range : 500eV~10keV
▶ Wafer Size : 6inch wafer
▶ Product capacity : Single wafer process
▶ Process Gases : BF3, PH3, AsH3, Ar, He, N2
장비상태 고장
수리일정 ▶ 수리 일정 : 미정
▶ 고장 내용 :
1. TM Chamber Dry Pump Overhaul
2. Bias Generator 점검

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