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장비명 Dielectic Sputter
업체명 ULTECH
모델명 SPS-4100
도입년도 2004-04-23
용도 일반적인 RF Sputtering뿐만 아니라 금속타겟을 이용하여 Sputtering 할때 불활성 가스와 동시에 반응성이 있는 가스를 흘려줌으로써 화합물 박막을 형성기키는 반응성 Sputterfing이 가능한 장비

▶ 증착물질 : TiO2, Ge oxide, Ta2O5(6inch), RuO2(4inch)
▶ Cathode : R.F Magnetron
▶ Wafer 크기 : Piece~6 inch
▶ Product capacity : Single Wafer Process
▶ Sputter Gun Size : 4 inch(1개)+6 inch(3개)
▶ Gun의 개수 : 4개
▶ 기판온도 : 400℃
▶ Substrate Rotation & Up/Down
▶ Wafer Load/Unload : Automatic Loading/Unloading by Loadlock Chamber
▶ 최대 진공도 : 7*10-7 Torr
▶ PC제어에 의한 전자동
장비상태 가동

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